弗萊貝格MDPmap單晶和多晶片壽命測(cè)試設(shè)備用于*的各種復(fù)雜材料的研究[CdTe | InP | ZnS | SiC | GaAs | GaN | Ge]硅|化合物半導(dǎo)體|氧化物|寬帶隙材料|鈣鈦礦|外延
更新時(shí)間：2023-06-15
弗萊貝格MDPmap單晶和多晶片壽命測(cè)試設(shè)備
用于*的各種復(fù)雜材料的研究
[CdTe | InP | ZnS | SiC | GaAs | GaN | Ge]
硅|化合物半導(dǎo)體|氧化物|寬帶隙材料|鈣鈦礦|外延
弗萊貝格MDPmap單晶和多晶片壽命測(cè)試設(shè)備
產(chǎn)品性能
*材料的研究和開(kāi)發(fā)
靈敏度: 對(duì)外延層監(jiān)控和不可見(jiàn)缺陷檢測(cè)，
具有可視化測(cè)試的分辨率
測(cè)試速度: < 5 minutes，6英寸硅片, 1mm分辨率
壽命測(cè)試范圍: 20ns到幾ms
玷污測(cè)試: 產(chǎn)生于坩堝和生產(chǎn)設(shè)備中的金屬沾污（Fe）
測(cè)試能力: 從切割的晶元片到所有工藝中的樣品
靈活性: 允許外部激發(fā)光與測(cè)試模塊進(jìn)行耦合
可靠性: 模塊化緊湊型臺(tái)式檢測(cè)設(shè)備，使用時(shí)間 > 99%
重復(fù)性: > 99.5%
電阻率: 無(wú)需時(shí)常校準(zhǔn)的電阻率面掃描
*材料的研究和開(kāi)發(fā)
應(yīng)用案例
+ 鐵濃度測(cè)定
+ 陷阱濃度測(cè)試
+ 硼氧濃度測(cè)試
+ 受注入濃影響的測(cè)試
常規(guī)壽命測(cè)試
+ 無(wú)接觸且非破壞的少子壽命成像測(cè)試：
(μPCD/MDP(QSS),光電導(dǎo)率，電阻率和p/n型檢測(cè)符合半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SEMI PV9-1110
+ 多可集成4個(gè)不同波長(zhǎng)光源，具有大范圍可調(diào)的光注入水平，可對(duì)單點(diǎn)進(jìn)行少子壽命的瞬態(tài)測(cè)試，
+ 可對(duì)單點(diǎn)進(jìn)行少子壽命的瞬態(tài)測(cè)試，也可對(duì)晶圓片進(jìn)行面掃
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